- Code commande RS:
- 767-5963
- Référence fabricant:
- R1WV6416RBG-7SI#B0
- Marque:
- Renesas Electronics
- Code commande RS:
- 767-5963
- Référence fabricant:
- R1WV6416RBG-7SI#B0
- Marque:
- Renesas Electronics
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- JP
Détail produit
SRAM faible puissance, série R1WV, Renesas Electronics
La série R1WV de RAM statiques basse tension avancées est adaptée aux applications de mémoire où les objectifs de conception les plus importants sont une interface simple, un fonctionnement par batterie et une batterie de secours.
Alimentation unique de 2,7 à 3,6 V
Petit courant de veille
Pas d'horloge, aucune actualisation nécessaire
Toutes les entrées et les sorties sont compatibles TTL.
Petit courant de veille
Pas d'horloge, aucune actualisation nécessaire
Toutes les entrées et les sorties sont compatibles TTL.
SRAM (Static Random Access Memory ou mémoire statique)
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Taille mémoire | 64Mbit |
Configuration | 4 Mb x 16 bits |
Nombre de mots | 4M |
Nombre de bits par mot | 16bit |
Temps d'accès aléatoire maximum | 70ns |
Faible consommation | Oui |
Type de timing | Asynchrone |
Type de montage | CMS |
Type de boîtier | FBGA |
Nombre de broches | 48 |
Dimensions | 8.5 x 11 x 0.8mm |
Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 3,6 V |
Hauteur | 0.8mm |
Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 2,7 V |
Largeur | 11mm |
Température d'utilisation maximum | +85 °C |
Longueur | 8.5mm |
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