Module IGBT, NXH100B120H3Q0PTGOS, , 1200 V, Q0BOOST, 22 broches, Double
- Code commande RS:
- 195-8768
- Référence fabricant:
- NXH100B120H3Q0PTG
- Marque:
- onsemi
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| Unité | Prix par unité | le plateau* |
| 24 + | 69,368 € | 1 664,832 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 195-8768
- Référence fabricant:
- NXH100B120H3Q0PTG
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le NXH100B120H3Q0 est un module d'alimentation contenant un double étage d'amplification composé de deux IGBT 50A/1 200 V, deux diodes SiC 20A/1 200 V et deux diodes antiparallèles 25 A/1 600 V pour les IGBT. Deux redresseurs de dérivation 25 A/1 600 V supplémentaires utilisés pour la limite de courant d'appel sont inclus. Une thermistance est intégrée.
Spécifications IGBT : VCE(sat) = 1,77 V, ESW = 2 180 uJ
IGBT rapide avec faible VCE(sat) pour un haut rendement
Diodes de dérivation 25 A/1 600 V et antiparallèles
Diodes de dérivation à faible VF pour un excellent rendement en mode de dérivation
Spécification de redressement SiC : VF = 1,44 V
Diodes SiC pour commutation haute vitesse
Options de broche à souder et de broche à pression disponibles
Montage flexible
Applications
Niveau de boost MPPT
Niveau de boost de chargeur de batterie
IGBT rapide avec faible VCE(sat) pour un haut rendement
Diodes de dérivation 25 A/1 600 V et antiparallèles
Diodes de dérivation à faible VF pour un excellent rendement en mode de dérivation
Spécification de redressement SiC : VF = 1,44 V
Diodes SiC pour commutation haute vitesse
Options de broche à souder et de broche à pression disponibles
Montage flexible
Applications
Niveau de boost MPPT
Niveau de boost de chargeur de batterie
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
| Dissipation de puissance maximum | 186 W |
| Type de boîtier | Q0BOOST |
| Configuration | Double |
| Type de montage | CMS |
| Type de canal | N |
| Nombre de broches | 22 |
| Configuration du transistor | Double |
| Dimensions | 66.2 x 32.8 x 11.9mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
- Code commande RS:
- 195-8768
- Référence fabricant:
- NXH100B120H3Q0PTG
- Marque:
- onsemi