Module IGBT, 2MBi200VH-120-50, , 240 A, 1200 V, M276, 7 broches, Série
- Code commande RS:
- 747-1080
- Référence fabricant:
- 2MBi200VH-120-50
- Marque:
- Fuji Electric
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 747-1080
- Référence fabricant:
- 2MBi200VH-120-50
- Marque:
- Fuji Electric
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Modules IGBT, lot de 2, Fuji Electric
Diaphragme de champ série V de 6ème génération
Diaphragme de champ séries U/U4 de 5ème génération
NPT de 4ème génération série S
Diaphragme de champ séries U/U4 de 5ème génération
NPT de 4ème génération série S
IGBT Discretes et modules, Fuji Electric
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant continu de Collecteur maximum | 240 A |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
| Dissipation de puissance maximum | 1,11 kW |
| Configuration | Série |
| Type de boîtier | M276 |
| Type de montage | Montage panneau |
| Type de canal | N |
| Nombre de broches | 7 |
| Configuration du transistor | Série |
| Dimensions | 108 x 62 x 30.5mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |