- Code commande RS:
- 103-5055
- Référence fabricant:
- MJ11015G
- Marque:
- onsemi
- Code commande RS:
- 103-5055
- Référence fabricant:
- MJ11015G
- Marque:
- onsemi
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CZ
Détail produit
Transistors Darlington PNP, ON Semiconductor
Normes
Les références fabricant avec un préfixe S ou NSV sont conformes à la norme AEC-Q101 pour automobile.
On Semiconductor MJ11015G est un transistor de puissance bipolaire Darlington PNP 30 A, 120 V. Il est conçu pour être utilisé comme un dispositif de sortie pour les applications d'amplificateur à usage général.
Le MJ11015G est fourni dans un boîtier traversant TO-204AA (TO-3) sans plomb.
Gain de courant c.c. élevé
Construction monolithique
Résistance de shunt d'émetteur de base intégrée
Température de jonction : jusqu'à +200 °C.
Polarité PNP
Le MJ11015G est fourni dans un boîtier traversant TO-204AA (TO-3) sans plomb.
Gain de courant c.c. élevé
Construction monolithique
Résistance de shunt d'émetteur de base intégrée
Température de jonction : jusqu'à +200 °C.
Polarité PNP
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de transistor | PNP |
Courant continu de Collecteur maximum | 30 A |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 120 V |
Tension Emetteur Base maximum | 5 V |
Type de boîtier | TO-204 |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 3 |
Configuration du transistor | Simple |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Gain en courant DC minimum | 200 |
Tension de saturation Base Emetteur maximum | 5 V |
Tension Collecteur Base maximum | 120 V |
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 4 V |
Température d'utilisation maximum | +200 °C |
Longueur | 39.37mm |
Hauteur | 8.51mm |
Dimensions | 39.37 x 26.67 x 8.51mm |
Largeur | 26.67mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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