Transistor bipolaire RF, NPN, 150 mA, 12 V, SOT-343, 4 broches

Le transistor épitaxial planaire en silicium Infineon NPN dans un boîtier SOT343 à double émetteur à 4 broches pour les amplificateurs à large bande à faible bruit et faible distorsion. Ce transistor RF bénéficie d'une expérience à long terme dans les composants RF et combine une facilité d'utilisation à la production de volumes stables, à la qualité de référence et à la fiabilité.

Sans plomb
Ne contient pas d'halogène
Fréquence de transition de 7,5 GHz