Paire Darlington, PNP 30 A, 120 V, HFE:200, TO-204, 3 broches Simple

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CZ
Détail produit

Transistors Darlington PNP, ON Semiconductor

Normes

Les références fabricant avec un préfixe S ou NSV sont conformes à la norme AEC-Q101 pour automobile.

On Semiconductor MJ11015G est un transistor de puissance bipolaire Darlington PNP 30 A, 120 V. Il est conçu pour être utilisé comme un dispositif de sortie pour les applications d'amplificateur à usage général.
Le MJ11015G est fourni dans un boîtier traversant TO-204AA (TO-3) sans plomb.

• Gain de courant c.c. élevé
Construction monolithique
Résistance de shunt d'émetteur de base intégrée
Température de jonction : jusqu'à +200 °C.
Polarité PNP

Versions disponibles :
688-1502 - lot de 2
103-5055 : plateau de 100

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de transistor PNP
Courant continu de Collecteur maximum 30 A
Tension Collecteur Emetteur maximum 120 V
Tension Emetteur Base maximum 5 V
Type de boîtier TO-204
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Configuration du transistor Simple
Nombre d'éléments par circuit 1
Gain en courant DC minimum 200
Tension de saturation Base Emetteur maximum 5 V
Tension Collecteur Base maximum 120 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V
Hauteur 8.51mm
Dimensions 39.37 x 26.67 x 8.51mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Longueur 39.37mm
Largeur 26.67mm
Température d'utilisation maximum +200 °C
300 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en plateau de 100)
4,914
HT
5,897
TTC
Unité
Prix par unité
le plateau*
100 - 200
4,914 €
491,40 €
300 +
4,56 €
456,00 €
*Prix donné à titre indicatif
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