- Code commande RS:
- 122-0071
- Référence fabricant:
- MJ11016G
- Marque:
- onsemi
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Prix pour l'unité (en plateau de 100)
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
100 + | 4,072 € | 407,20 € |
*Prix donné à titre indicatif |
Proposition de remplacement
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- Code commande RS:
- 122-0071
- Référence fabricant:
- MJ11016G
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CZ
Détail produit
Transistors Darlington NPN, ON Semiconductor
Normes
Les références fabricant avec un préfixe S ou NSV sont conformes à la norme AEC-Q101 pour automobile.
On Semiconductor MJ11016G est un transistor de puissance bipolaire Darlington NPN 30 A, 120 V. Il est conçu pour être utilisé comme un dispositif de sortie pour les applications d'amplificateur à usage général.
Le MJ11016G est fourni dans un boîtier traversant TO-204AA (TO-3) sans plomb.
Gain de courant c.c. élevé
Construction monolithique
Résistance de shunt d'émetteur de base intégrée
Température de jonction : jusqu'à +200 °C.
Polarité NPN
Le MJ11016G est fourni dans un boîtier traversant TO-204AA (TO-3) sans plomb.
Gain de courant c.c. élevé
Construction monolithique
Résistance de shunt d'émetteur de base intégrée
Température de jonction : jusqu'à +200 °C.
Polarité NPN
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de transistor | NPN |
Courant continu de Collecteur maximum | 30 A |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 120 V |
Tension Emetteur Base maximum | 5 V |
Type de boîtier | TO-204 |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 3 |
Configuration du transistor | Simple |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Gain en courant DC minimum | 200 |
Tension de saturation Base Emetteur maximum | 5 V |
Tension Collecteur Base maximum | 120 V |
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 4 V |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Largeur | 26.67mm |
Hauteur | 8.51mm |
Longueur | 39.37mm |
Température d'utilisation maximum | +200 °C |
Dimensions | 39.37 x 26.67 x 8.51mm |
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