- Code commande RS:
- 839-9954
- Référence fabricant:
- ATF-50189-BLK
- Marque:
- Broadcom
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 839-9954
- Référence fabricant:
- ATF-50189-BLK
- Marque:
- Broadcom
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- TH
Détail produit
HEMT canal N, Avago Technologies
Un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT, également connu sous le nom de structure hétéro ou jonction hétéro FET) est une jonction FET utilisant deux matériaux avec différents écarts de bande (par exemple, une jonction hétéro) en tant que canal au lieu de la région dopée utilisée dans un transistor MOSFET. Les transistors HEMT présentent une bonne caractéristique haute fréquence et sont généralement utilisés dans les applications RF à petit signal à faible bruit.
Les termes HEMT, HFET, HJ-FET et MODFET sont utilisés pour décrire les transistors de ce type.
pHEMT ou le pseudomorphe HEMT est une variante du type de transistor HEMT de base, et les dispositifs E-pHEMT sont les types de mode d'enrichissement.
Les termes HEMT, HFET, HJ-FET et MODFET sont utilisés pour décrire les transistors de ce type.
pHEMT ou le pseudomorphe HEMT est une variante du type de transistor HEMT de base, et les dispositifs E-pHEMT sont les types de mode d'enrichissement.
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de boîtier | SOT-89 |
Type de montage | CMS |
Dissipation de puissance maximum | 2,25 W |
Nombre de broches | 3 |
Dimensions | 4.6 x 2.6 x 1.6mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |