MOSFET IXYS canal N, A-247 26 A 500 V, 3 broches

Name: MOSFET IXYS canal N, A-247 26 A 500 V, 3 broches
Brand: IXYS
SKU: 194-530
Price: 8.94 EUR

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Documentation technique

Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS

Transistors MOSFET, IXYS

Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	26 A
Tension Drain Source maximum	500 V
Type de boîtier	A-247
Série	HiperFET, Polar
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	230 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5.5V
Dissipation de puissance maximum	400 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Longueur	16.26mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	60 nC @ 10 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	5.3mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	21.46mm