MOSFET, Canal-N, 12 A 100 V TO-220AB, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor

Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 12 A
Tension Drain Source maximum 100 V
Type de boîtier TO-220AB
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 200 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 1V
Dissipation de puissance maximum 60 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température d'utilisation maximum +150 °C
Hauteur 9.4mm
Largeur 4.83mm
Matériau du transistor Si
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Longueur 10.67mm
157 pour livraison dès le lendemain (stock France)
518 Sous 1 jour(s) (stock Europe)
Prix pour la pièce
0,80
HT
0,96
TTC
Unité
Prix par unité
1 - 9
0,80 €
10 - 49
0,67 €
50 - 99
0,59 €
100 - 499
0,51 €
500 +
0,48 €
Options de conditionnement :