MOSFET, Canal-N, 1 A 100 V HVMDIP, 4 broches

  • Code commande RS 301-338
  • Référence fabricant IRLD110PBF
  • Marque Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor

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Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 1 A
Tension Drain Source maximum 100 V
Type de boîtier HVMDIP
Type de montage Traversant
Nombre de broches 4
Résistance Drain Source maximum 540 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 1V
Dissipation de puissance maximum 1,3 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Longueur 5mm
Température d'utilisation maximum +175 °C
Hauteur 3.37mm
Charge de Grille type @ Vgs 6,1 nC @ 5 V
Matériau du transistor Si
Largeur 6.29mm
710 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 5)
0,81
HT
0,97
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 45
0,81 €
4,05 €
50 - 95
0,722 €
3,61 €
100 - 245
0,562 €
2,81 €
250 - 495
0,534 €
2,67 €
500 +
0,436 €
2,18 €
*Prix donné à titre indicatif
.
Options de conditionnement :