MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 1 A 100 V, 4 broches

Name: MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 1 A 100 V, 4 broches
Brand: Vishay
SKU: 301-338
Price: 1.86 EUR
Availability: InStock

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TTC

Documentation technique

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	1 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Type de boîtier	HVMDIP
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	4
Résistance Drain Source maximum	540 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	1,3 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-10 V, +10 V
Largeur	6.29mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Matériau du transistor	Si
Charge de Grille type @ Vgs	6,1 nC @ 5 V
Longueur	5mm
Hauteur	3.37mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C