MOSFET, Canal-P, 5 A 60 V PW moulé, 3 broches

  • Code commande RS 415-174
  • Référence fabricant 2SJ668(TE16L,NQ)
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET à canal-P, série 2SJ, Toshiba

Transistors MOSFET, Toshiba

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal P
Courant continu de Drain maximum 5 A
Tension Drain Source maximum 60 V
Type de boîtier PW moulé
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 170 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 2V
Dissipation de puissance maximum 20 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Hauteur 2.3mm
Charge de Grille type @ Vgs 15 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum +150 °C
Longueur 6.5mm
Largeur 5.5mm
Matériau du transistor Si
150 En stock pour livraison sous 1 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
0,596
HT
0,715
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 40
0,596 €
5,96 €
50 - 190
0,465 €
4,65 €
200 - 490
0,448 €
4,48 €
500 - 990
0,436 €
4,36 €
1000 +
0,425 €
4,25 €
*Prix donné à titre indicatif
.
Options de conditionnement :