MOSFET, Canal-N, 9 A 900 V TO-3PN, 3 broches

  • Code commande RS 415-354
  • Référence fabricant 2SK3878(F)
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET à canal-N, série 2SK, Toshiba

Transistors MOSFET, Toshiba

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 9 A
Tension Drain Source maximum 900 V
Type de boîtier TO-3PN
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 1,3 Ω
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 4V
Dissipation de puissance maximum 150 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -30 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température d'utilisation maximum +150 °C
Matériau du transistor Si
Largeur 4.8mm
Longueur 15.9mm
Série 2SK
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Hauteur 19mm
Charge de Grille type @ Vgs 60 nC @ 10 V
54 En stock, livraison dès le lendemain
Prix pour l'unité (par multiple de 2)
2,815
HT
3,378
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 8
2,815 €
5,63 €
10 - 38
1,985 €
3,97 €
40 - 98
1,89 €
3,78 €
100 - 198
1,60 €
3,20 €
200 +
1,525 €
3,05 €
*Prix donné à titre indicatif
Options de conditionnement :