MOSFET, Canal-N, 900 mA 100 V E ligne, 3 broches

  • Code commande RS 841-306
  • Référence fabricant ZVN4310A
  • Marque DiodesZetex
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET à canal N, 100 V à 950 V, Diodes Inc

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Transistors MOSFET, Diodes Inc.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 900 mA
Tension Drain Source maximum 100 V
Type de boîtier E ligne
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 500 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 3V
Dissipation de puissance maximum 850 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température d'utilisation maximum +150 °C
Longueur 4.77mm
Hauteur 4.01mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Matériau du transistor Si
Largeur 2.41mm
15 pour livraison dès le lendemain (stock France)
190 Sous 2 jour(s) (stock Europe)
Prix pour l'unité (par multiple de 5)
1,316
HT
1,579
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 35
1,316 €
6,58 €
40 - 195
1,056 €
5,28 €
200 - 995
0,848 €
4,24 €
1000 - 1995
0,72 €
3,60 €
2000 +
0,598 €
2,99 €
*Prix donné à titre indicatif
Options de conditionnement :