MOSFET, Canal-N, 380 mA 60 V SOT-23, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor

Le 2N7002K est un transistor MOSFET à petit signal. Ce transistor MOSFET est un simple canal N avec protection ESD dans un boîtier à montage en surface. Ce transistor MOSFET offre une meilleure efficacité du système et une grande utilisation dans les applications portables.

Caractéristiques et avantages :

Protection ESD
• Canal N.
Faible RDS
• sans plomb ni halogène
• drain à la source - 60 V.
Rendement du système amélioré

Applications :

Convertisseur c.c.-c.c.
• Circuits de décalage de niveau
• Commutateurs de charge faible puissance
Applications portables telles que les téléphones, les PDA, les DSC, les ordinateurs portables et les tablettes.

Transistors MOSFET, ON Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 380 mA
Tension Drain Source maximum 60 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 2,5 Ω
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 2.3V
Dissipation de puissance maximum 420 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Charge de Grille type @ Vgs 0,7 nC @ 4,5 V
Largeur 1.4mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Matériau du transistor Si
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Hauteur 1.01mm
Longueur 3.04mm
33000 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,027
HT
0,032
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 12000
0,027 €
81,00 €
15000 +
0,026 €
78,00 €
*Prix donné à titre indicatif
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