MOSFET, Canal-N, 4,2 A 20 V SOT-23, 3 broches

  • Code commande RS 122-2873
  • Référence fabricant DMG2302U-7
  • Marque DiodesZetex
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc

Transistors MOSFET, Diodes Inc.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 4,2 A
Tension Drain Source maximum 20 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 120 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 1V
Dissipation de puissance maximum 800 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum +8 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Largeur 1.4mm
Hauteur 1mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Charge de Grille type @ Vgs 7 nC @ 4,5 V
Longueur 3mm
Matériau du transistor Si
Température de fonctionnement minimum -55 °C
9000 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,089
HT
0,107
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 6000
0,089 €
267,00 €
9000 +
0,078 €
234,00 €
*Prix donné à titre indicatif
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