MOSFET, N/P-Channel 2 A, 2,5 A 30 V SOT-23, 6 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET à double canal N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. En utilisant cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui de la génération précédente.
Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N, P
Courant continu de Drain maximum 2 A, 2,5 A
Tension Drain Source maximum 30 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broches 6
Résistance Drain Source maximum 150 mΩ, 220 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 1V
Dissipation de puissance maximum 960 mW
Configuration du transistor Isolé
Tension Grille Source maximum -25 V, -16 V, +16 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit 2
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Matériau du transistor Si
Température d'utilisation maximum +150 °C
Hauteur 1mm
Largeur 1.7mm
Longueur 3mm
Série PowerTrench
Charge de Grille type @ Vgs 4,1 nC @ 10 V, 4,7 nC @ 10 V
12000 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,114
HT
0,137
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 6000
0,114 €
342,00 €
9000 +
0,112 €
336,00 €
*Prix donné à titre indicatif
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