MOSFET, Canal-N, 50 A 60 V TO-220AB, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CA
Détail produit

Transistor MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor

Le processus MegaFET, qui utilise des tailles proches des circuits intégrés LSI, permet une utilisation optimale du silicium, ce qui se traduit par des performances remarquables.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 50 A
Tension Drain Source maximum 60 V
Type de boîtier TO-220AB
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 22 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 2V
Dissipation de puissance maximum 131 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Longueur 10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs 125 nC @ 20 V
Largeur 4.83mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Série MegaFET
Température d'utilisation maximum +175 °C
Matériau du transistor Si
Hauteur 9.4mm
650 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en tube de 50)
1,143
HT
1,372
TTC
Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 200
1,143 €
57,15 €
250 - 950
0,834 €
41,70 €
1000 - 2450
0,692 €
34,60 €
2500 +
0,675 €
33,75 €
*Prix donné à titre indicatif
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