MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 210 A 60 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 124-8962
- Référence fabricant:
- IRFB3206PBF
- Marque:
- Infineon
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Prix pour l'unité (en tube de 50)
1,311 €
HT
1,573 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le tube* |
| 50 - 50 | 1,311 € | 65,55 € |
| 100 - 200 | 1,167 € | 58,35 € |
| 250 - 450 | 1,088 € | 54,40 € |
| 500 - 950 | 1,028 € | 51,40 € |
| 1000 + | 1,002 € | 50,10 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 124-8962
- Référence fabricant:
- IRFB3206PBF
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 210 A |
| Tension Drain Source maximum | 60 V |
| Type de boîtier | TO-220AB |
| Série | HEXFET |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 3 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 300 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 4.83mm |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Charge de Grille type @ Vgs | 120 nF @ 10 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Longueur | 10.67mm |
| Hauteur | 9.02mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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