MOSFET, Fairchild, NDP6020P

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor

La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide.

Caractéristiques et avantages :

Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension
Conception de cellule haute densité
• Courant de saturation élevé
• commutation supérieure
Excellentes performances robustes et fiables
Technologie DMOS

Applications :

Commutation de charge
• Convertisseur c.c./c.c.
Protection de batterie
• Commande de gestion de l'alimentation
Commande de moteur c.c.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal P
Courant continu de Drain maximum 24 A
Tension Drain Source maximum 20 V
Type de boîtier A-220
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 80 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 0.4V
Dissipation de puissance maximum 60 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Charge de Grille type @ Vgs 25 nC @ 5 V
Hauteur 16.3mm
Largeur 4.7mm
Température de fonctionnement minimum -65 °C
Température d'utilisation maximum +175 °C
Matériau du transistor Si
Longueur 10.67mm
350 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en tube de 50)
1,294
HT
1,553
TTC
Unité
Prix par unité
le tube*
50 +
1,294 €
64,70 €
*Prix donné à titre indicatif
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