MOSFET, Canal-N, 6,5 A 20 V TSSOP, 8 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET de puissance à double canal N, Taiwan Semiconductor

Transistors MOSFET, Taiwan Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 6,5 A
Tension Drain Source maximum 20 V
Type de boîtier TSSOP
Type de montage CMS
Nombre de broche 8
Résistance Drain Source maximum 22 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 1V
Dissipation de puissance maximum 1,04 W
Configuration du transistor Drain commun
Tension Grille Source maximum -12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit 2
Longueur 4.5mm
Largeur 3.1mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Charge de Grille type @ Vgs 15 nC @ 4,5 V
Hauteur 1.05mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Matériau du transistor Si
En stock à partir du 09/12/2020, livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,321
HT
0,385
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +
0,321 €
963,00 €
*Prix donné à titre indicatif
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