- Code commande RS:
- 153-0757
- Référence fabricant:
- PMN42XPEAX
- Marque:
- Nexperia
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 153-0757
- Référence fabricant:
- PMN42XPEAX
- Marque:
- Nexperia
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET à tranchée à canal P 20 V, transistor à effet de champ (FET) à enrichissement canal P, intégré dans un petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) SOT457 (SC-74) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.
Commutation rapide
Technologie MOSFET à tranchée
Protection ESD de 2 kV
Certifié AEC-Q101
Driver de relais
Driver de ligne haut débit
Commutateur en charge High Side
Circuits de commutation
Technologie MOSFET à tranchée
Protection ESD de 2 kV
Certifié AEC-Q101
Driver de relais
Driver de ligne haut débit
Commutateur en charge High Side
Circuits de commutation
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | P |
Courant continu de Drain maximum | -5,7 A |
Tension Drain Source maximum | -20 V |
Type de boîtier | SC-74, SOT457 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 6 |
Résistance Drain Source maximum | 64 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | -1.25V |
Tension de seuil minimale de la grille | -0.75V |
Dissipation de puissance maximum | 8330 mW |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | 12 Mo |
Nombre d'éléments par circuit | 3 |
Largeur | 1.7mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Longueur | 3.1mm |
Charge de Grille type @ Vgs | 11,5 nC @ 10 V |
Standard automobile | AEC-Q101 |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 1.1mm |