MOSFET MagnaChip canal N, PowerDFN56 47 A 30 V, 8 broches

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Documentation technique

Ces transistors MOSFET basse tension (LV) fournissent une faible résistance à l'état passant et des performances de commutation rapides.

Transistors MOSFET, MagnaChip

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	47 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	PowerDFN56
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	14 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.7V
Dissipation de puissance maximum	35,7 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs	14,6 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	6.1mm
Largeur	5.1mm
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Tension directe de la diode	1.1V
Hauteur	1.1mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C