- Code commande RS:
- 165-6823
- Référence fabricant:
- BSS308PEH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
- Code commande RS:
- 165-6823
- Référence fabricant:
- BSS308PEH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- MY
Détail produit
Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™
Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.
Mode d'enrichissement
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | P |
Courant continu de Drain maximum | 1,6 A |
Tension Drain Source maximum | 30 V |
Type de boîtier | SOT-23 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 130 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 1V |
Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
Dissipation de puissance maximum | 500 mW |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
Largeur | 1.3mm |
Charge de Grille type @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Longueur | 2.9mm |
Matériau du transistor | Si |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Série | OptiMOS P |
Hauteur | 1mm |
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