MOSFET IXYS canal N, SOT-227 53 A 800 V, 4 broches

Name: MOSFET IXYS canal N, SOT-227 53 A 800 V, 4 broches
Brand: IXYS
SKU: 168-4494
Price: 45.02 EUR
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Documentation technique

Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS

Transistors MOSFET, IXYS

Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	53 A
Tension Drain Source maximum	800 V
Type de boîtier	SOT-227
Série	HiperFET, Polar
Type de montage	Montage à visser
Nombre de broches	4
Résistance Drain Source maximum	140 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Dissipation de puissance maximum	1,04 kW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Longueur	38.23mm
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	250 nC @ 10 V
Largeur	25.42mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	9.6mm