MOSFET, Canal-N, 30 A 60 V TO-220SIS, 3 broches

  • Code commande RS 168-7967
  • Référence fabricant TK30A06N1,S4X(S
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba

Transistors MOSFET, Toshiba

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 30 A
Tension Drain Source maximum 60 V
Type de boîtier TO-220SIS
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 15 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 4V
Dissipation de puissance maximum 25 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Largeur 4.5mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Charge de Grille type @ Vgs 16 nC @ 10 V
Hauteur 15mm
Matériau du transistor Si
Longueur 10mm
Série TK
1300 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en tube de 50)
0,325
HT
0,39
TTC
Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 200
0,325 €
16,25 €
250 - 450
0,299 €
14,95 €
500 - 1200
0,281 €
14,05 €
1250 - 2450
0,258 €
12,90 €
2500 +
0,238 €
11,90 €
*Prix donné à titre indicatif
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