MOSFET, Canal-N, 40 A 100 V TO-220SIS, 3 broches

  • Code commande RS 168-7982
  • Référence fabricant TK40A10N1,S4X(S
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

Transistors MOSFET, Toshiba

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 40 A
Tension Drain Source maximum 100 V
Type de boîtier TO-220SIS
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 8,2 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 4V
Dissipation de puissance maximum 35 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Largeur 4.5mm
Hauteur 15mm
Série TK
Longueur 10mm
Matériau du transistor Si
Température d'utilisation maximum +150 °C
Charge de Grille type @ Vgs 49 nC @ 10 V
En stock à partir du 28/10/2020, livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en tube de 50)
0,754
HT
0,905
TTC
Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 200
0,754 €
37,70 €
250 - 950
0,678 €
33,90 €
1000 - 2450
0,628 €
31,40 €
2500 +
0,612 €
30,60 €
*Prix donné à titre indicatif
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