MOSFET, Canal-N, 58 A 60 V TO-220SIS, 3 broches

  • Code commande RS 168-7988
  • Référence fabricant TK58A06N1,S4X(S
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

Transistors MOSFET, Toshiba

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 58 A
Tension Drain Source maximum 60 V
Type de boîtier TO-220SIS
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 5,4 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 4V
Dissipation de puissance maximum 35 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Série TK
Largeur 4.5mm
Hauteur 15mm
Charge de Grille type @ Vgs 46 nC @ 10 V
Longueur 10mm
Matériau du transistor Si
Température d'utilisation maximum +150 °C
150 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en tube de 50)
0,386
HT
0,463
TTC
Unité
Prix par unité
le tube*
50 +
0,386 €
19,30 €
*Prix donné à titre indicatif
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