MOSFET, Canal-P, 4 A 12 V SMini3-G1-B, 3 broches
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 169-8019
- Référence fabricant:
- MTM231102LBF
- Marque:
- Panasonic
- Pays d'origine :
- MY
Transistor MOSFET canal P, Panasonic
| Attribut | Valeur |
| Type de canal | P |
| Courant continu de Drain maximum | 4 A |
| Tension Drain Source maximum | 12 Mo |
| Type de boîtier | Smini3-G1-B |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 30 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 1V |
| Dissipation de puissance maximum | 500 mW |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -8 V, +8 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Série | MTM |
| Longueur | 2mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Hauteur | 0.8mm |
| Largeur | 1.25mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |