MOSFET, Canal-N, 2,8 A 20 V SOT-23, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor de puissance MOSFET canal N, Taiwan Semiconductor

Transistors MOSFET, Taiwan Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 2,8 A
Tension Drain Source maximum 20 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 65 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 1.2V
Dissipation de puissance maximum 900 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Largeur 1.4mm
Charge de Grille type @ Vgs 3,69 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor Si
Longueur 3.05mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Hauteur 0.95mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
En stock à partir du 08/12/2020, livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,106
HT
0,127
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +
0,106 €
318,00 €
*Prix donné à titre indicatif
.