MOSFET, Canal-P, 3 A 30 V SOT-23, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

Transistor de puissance MOSFET à canal P, Taiwan Semiconductor

Transistors MOSFET, Taiwan Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal P
Courant continu de Drain maximum 3 A
Tension Drain Source maximum 30 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 140 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 3V
Dissipation de puissance maximum 1,25 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Longueur 3.1mm
Hauteur 1.2mm
Largeur 1.7mm
Matériau du transistor Si
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Température d'utilisation maximum +150 °C
Charge de Grille type @ Vgs 10 nC @ 10 V
15000 En stock pour livraison sous 1 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,149
HT
0,179
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +
0,149 €
447,00 €
*Prix donné à titre indicatif
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