MOSFET, Canal-N, 4,9 A 20 V SOT-23, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : TW
Détail produit

Transistor de puissance MOSFET canal N, Taiwan Semiconductor

Transistors MOSFET, Taiwan Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 4,9 A
Tension Drain Source maximum 20 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 51 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 1V
Dissipation de puissance maximum 750 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Largeur 1.7mm
Hauteur 1.2mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Charge de Grille type @ Vgs 11 nC @ 4,5 V
Longueur 3.1mm
Matériau du transistor Si
Température d'utilisation maximum +150 °C
15000 En stock pour livraison sous 1 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,172
HT
0,206
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +
0,172 €
516,00 €
*Prix donné à titre indicatif
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