- Code commande RS:
- 170-8323
- Référence fabricant:
- SI3499DV-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
- Code commande RS:
- 170-8323
- Référence fabricant:
- SI3499DV-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- TW
Détail produit
Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | P |
Courant continu de Drain maximum | 3,9 A |
Tension Drain Source maximum | 8 V |
Type de boîtier | TSOP-6 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 6 |
Résistance Drain Source maximum | 48 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil minimale de la grille | 0.35V |
Dissipation de puissance maximum | 1,1 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -5 V, +5 V |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Longueur | 3.1mm |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Largeur | 1.7mm |
Matériau du transistor | Si |
Charge de Grille type @ Vgs | 28 nC @ 4,5 V |
Hauteur | 1mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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