MOSFET Infineon canal N, HSOF-8 300 A 100 V, 8 broches

Le transistor MOSFET à canal N à montage en surface Infineon HSOF-8 est un nouveau produit d'âge avec une résistance de drain-source de 1,5 mohm à une tension de grille-source de Le transistor MOSFET est doté d'un courant de drain continu de 300 A. Il est doté d'une tension grille-source maximale de 20 V et d'une tension drain-source de 100 V. Sa puissance dissipée maximale est de 375 W. Le transistor MOSFET est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 6 V et 10 V respectivement. Il a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Test d'avalanche à 100 %
• Excellente charge de grille x produit RDS (marche) (FOM)
• Sans halogène
Idéal pour une haute fréquence de commutation
Placage sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
• Optimisé pour la rectification synchrone
Réduction de capacité de sortie jusqu'à 44 %
Réduction RDS (marche) jusqu'à 44 %
RDS à très faible résistance à l'état passant (marche)

Adaptateur
Véhicules électriques légers
Commandes basse tension
• Alimentations serveur
• Solaire
• Télécommunications

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
JEDEC