MOSFET Taiwan Semiconductor canal N, DPAK (TO-252) 55 A 30 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 171-3608
- Référence fabricant:
- TSM090N03CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
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| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 2500 + | 0,572 € | 1 430,00 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 171-3608
- Référence fabricant:
- TSM090N03CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor MOSFET de puissance canal N 30 V, 55 A, 3 broches à languette de Taiwan Semiconductor est doté d'une configuration à transistor simple et d'un mode de canal d'amélioration.
Conforme à la directive RoHS
Température d'utilisation maximale de 150 °C.
Dissipation de puissance max. de 40 W.
La tension de seuil de grille varie entre 1 V et 2,5 V.
Température d'utilisation maximale de 150 °C.
Dissipation de puissance max. de 40 W.
La tension de seuil de grille varie entre 1 V et 2,5 V.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 55 A |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 13 MΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2.5V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1V |
| Dissipation de puissance maximum | 40 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | ±20 V |
| Charge de Grille type @ Vgs | 7,5 nC @ 4,5 V |
| Largeur | 5.8mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Longueur | 6.5mm |
| Hauteur | 2.3mm |
| Tension directe de la diode | 1V |
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