MOSFET, Canal-N, 1 A 600 V TO-251, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit
Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 1 A
Tension Drain Source maximum 600 V
Type de boîtier TO-251
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 10 Ω
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 4.5V
Tension de seuil minimale de la grille 2.5V
Dissipation de puissance maximum 39 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum ±30 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température d'utilisation maximum +150 °C
Hauteur 6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs 6,1 nC @ 10 V
Tension directe de la diode 1.4V
Largeur 2.3mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Longueur 6.6mm
13125 En stock pour livraison sous 1 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 1875)
0,405
HT
0,486
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
1875 - 1875
0,405 €
759,375 €
3750 - 5625
0,391 €
733,125 €
7500 - 13125
0,357 €
669,375 €
15000 +
0,337 €
631,875 €
*Prix donné à titre indicatif
.