MOSFET, Canal-P, 1,3 A 30 V SOT-23, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit
Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal P
Courant continu de Drain maximum 1,3 A
Tension Drain Source maximum 30 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 300 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 3V
Tension de seuil minimale de la grille 1V
Dissipation de puissance maximum 700 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum ±20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Largeur 1.7mm
Tension directe de la diode 1.2V
Longueur 3.1mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Hauteur 1.2mm
Charge de Grille type @ Vgs 10 nC @ 4,5 V
9000 En stock pour livraison sous 1 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,06
HT
0,07
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +
0,06 €
180,00 €
*Prix donné à titre indicatif
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