MOSFET Taiwan Semiconductor canal N, TO-252 3,3 A 700 V, 3 + Tab broches
- Code commande RS:
- 171-3695
- Référence fabricant:
- TSM70N1R4CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
En cours d'approvisionnement
Ajouté
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
1,484 €
HT
1,781 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 10 + | 1,484 € | 14,84 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 171-3695
- Référence fabricant:
- TSM70N1R4CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le Taiwan Semiconductor 700 V, 3. 3 A, 1. Le transistor MOSFET de puissance à canal N 4 Ω, 3 broches est doté d'une configuration à transistor simple et d'un mode de canal d'amélioration. Il est généralement utilisé dans les applications d'alimentation et d'éclairage.
Technologie Super-Junction
Performances élevées grâce à un petit facteur de mérite
Performances de robustesse élevées
Performances de commutation élevées
Plage de températures d'utilisation de -55 à +150 °C.
Dissipation de puissance maximale de 38 W.
Plage de tension de seuil de porte entre 2 V et 4 V.
Performances élevées grâce à un petit facteur de mérite
Performances de robustesse élevées
Performances de commutation élevées
Plage de températures d'utilisation de -55 à +150 °C.
Dissipation de puissance maximale de 38 W.
Plage de tension de seuil de porte entre 2 V et 4 V.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 3,3 A |
| Tension Drain Source maximum | 700 V |
| Type de boîtier | TO-252 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 + Tab |
| Résistance Drain Source maximum | 1,4 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 38 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | ±30 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Charge de Grille type @ Vgs | 7,7 nC @ 10 V |
| Largeur | 6.11mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Longueur | 6.57mm |
| Hauteur | 2.29mm |
| Tension directe de la diode | 1.4V |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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