MOSFET, Canal-N, 3,3 A 700 V TO-252, 3 + Tab broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit
Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 3,3 A
Tension Drain Source maximum 700 V
Type de boîtier TO-252
Type de montage CMS
Nombre de broche 3 + Tab
Résistance Drain Source maximum 1,4 Ω
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 4V
Tension de seuil minimale de la grille 2V
Dissipation de puissance maximum 38 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum ±30 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Charge de Grille type @ Vgs 7,7 nC @ 10 V
Largeur 6.11mm
Longueur 6.57mm
Tension directe de la diode 1.4V
Hauteur 2.29mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Température de fonctionnement minimum -55 °C
4960 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
0,665
HT
0,798
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 40
0,665 €
6,65 €
50 - 90
0,612 €
6,12 €
100 - 240
0,575 €
5,75 €
250 - 490
0,529 €
5,29 €
500 +
0,487 €
4,87 €
*Prix donné à titre indicatif
.
Options de conditionnement :