MOSFET Taiwan Semiconductor canal N, DPAK (TO-252) 50 A 60 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 171-3703
- Référence fabricant:
- TSM230N06CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
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- Code commande RS:
- 171-3703
- Référence fabricant:
- TSM230N06CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Taiwan Semiconductor 60 V, 50 A, 28 mΩ, 3 broches, MOSFET de puissance à canal N avec configuration à transistor unique et mode de canal d'amélioration.
Testé à 100 % en avalanche
Commutation rapide
Conforme à la directive RoHS
Plage de températures d'utilisation de -55 à +150 °C.
Dissipation de puissance max. de 53 W.
Plage de tension de seuil de porte entre 1,2 et 2,5 V.
Commutation rapide
Conforme à la directive RoHS
Plage de températures d'utilisation de -55 à +150 °C.
Dissipation de puissance max. de 53 W.
Plage de tension de seuil de porte entre 1,2 et 2,5 V.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 50 A |
| Tension Drain Source maximum | 60 V |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 28 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2.5V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1.2V |
| Dissipation de puissance maximum | 53 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | ±20 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Longueur | 6.5mm |
| Largeur | 5.8mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Hauteur | 2.3mm |
| Tension directe de la diode | 1V |
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