MOSFET, Canal-N, 1 A 100 V HVMDIP, 4 broches

  • Code commande RS 178-0913
  • Référence fabricant IRLD110PBF
  • Marque Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 1 A
Tension Drain Source maximum 100 V
Type de boîtier HVMDIP
Type de montage Traversant
Nombre de broches 4
Résistance Drain Source maximum 540 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 1V
Dissipation de puissance maximum 1,3 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Longueur 5mm
Hauteur 3.37mm
Charge de Grille type @ Vgs 6,1 nC @ 5 V
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Matériau du transistor Si
Température d'utilisation maximum +175 °C
Largeur 6.29mm
1000 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en tube de 100)
0,578
HT
0,694
TTC
Unité
Prix par unité
le tube*
100 +
0,578 €
57,80 €
*Prix donné à titre indicatif
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