MOSFET Vishay Siliconix canal N, 1 212 80 A 30 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 178-3700
- Référence fabricant:
- SiSS04DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 178-3700
- Référence fabricant:
- SiSS04DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Documentation technique
Législation et Conformité
Statut RoHS non applicable
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV
Très faible RDS(on) dans un boîtier compact et à rendement thermique amélioré
Le rapport Qg, Qgd et Qgd/Qgs optimisé réduit la perte de puissance liée à la commutation
Très faible RDS(on) dans un boîtier compact et à rendement thermique amélioré
Le rapport Qg, Qgd et Qgd/Qgs optimisé réduit la perte de puissance liée à la commutation
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 80 A |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Série | TrenchFET |
| Type de boîtier | 1 212 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 1 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 1V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2.2V |
| Dissipation de puissance maximum | 65,7 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -12 V, +16 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Charge de Grille type @ Vgs | 61,5 nC @ 10 V |
| Longueur | 3.15mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Largeur | 3.15mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 1.07mm |
| Tension directe de la diode | 1.1V |