MOSFET Infineon canal N, SO-8 6,6 A 20 V, 8 broches

Le HEXFET de cinquième génération Infineon international Rectifier utilise des techniques de traitement Advanced pour obtenir une très faible résistance à la surface de silicium. Ces avantages, combinés à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour lesquels le transistor MOSFET de puissance HEXFET est bien connu, fournissant un dispositif de niveau suffisant, fournissent au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le SO-8 a été modifié à l'aide d'un cadre de câble personnalisé pour des caractéristiques thermiques améliorées et une capacité de matrice multiple, ce qui le rend idéal dans une grande variété d'applications de puissance. Grâce à cette amélioration, plusieurs dispositifs peuvent être utilisés dans une application avec une réduction spectaculaire de l'espace sur la carte. Le boîtier est conçu pour la phase vapeur, l'infrarouge pour les techniques de soudage à la vague.

Technologie de génération V.
Très faible résistance à l'état passant
Montage en surface
Entièrement en avalanche
Transistor MOSFET à canal N double