MOSFET onsemi canal N, TO-220AB 50 A 60 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 325-7625
- Référence fabricant:
- RFP50N06
- Marque:
- onsemi
11 pour livraison dès le lendemain (stock France)
2 Sous 2 jour(s) (stock Europe)
Ajouté
Prix pour la pièce
1,77 €
HT
2,12 €
TTC
| Unité | Prix par unité |
| 1 - 9 | 1,77 € |
| 10 - 99 | 1,13 € |
| 100 - 499 | 0,96 € |
| 500 + | 0,94 € |
- Code commande RS:
- 325-7625
- Référence fabricant:
- RFP50N06
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor
Le processus MegaFET, qui utilise des tailles proches des circuits intégrés LSI, permet une utilisation optimale du silicium, ce qui se traduit par des performances remarquables.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 50 A |
| Tension Drain Source maximum | 60 V |
| Type de boîtier | TO-220AB |
| Série | MegaFET |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 22 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 131 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Charge de Grille type @ Vgs | 125 nC @ 20 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Matériau du transistor | Si |
| Largeur | 4.83mm |
| Longueur | 10.67mm |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 9.4mm |
- Code commande RS:
- 325-7625
- Référence fabricant:
- RFP50N06
- Marque:
- onsemi
Nos clients ont également consulté
- MOSFET onsemi canal N TO-220AB 30 A 50 V, 3 broches
- MOSFET onsemi canal N TO-220AB 33 A 60 V, 3 broches
- MOSFET onsemi canal N TO-220AB 20 A 60 V, 3 broches
- MOSFET onsemi canal N TO-220AB 70 A 60 V, 3 broches
- MOSFET onsemi canal N TO-220AB 85 A 60 V, 3 broches
- MOSFET onsemi canal N TO-220AB 13 3 broches
- MOSFET onsemi canal N TO-220AB 30 A 60 V, 3 broches
- MOSFET Vishay canal N TO-220AB 50 A 60 V