MOSFET, Canal-N, 50 A 60 V TO-220AB, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor

Le processus MegaFET, qui utilise des tailles proches des circuits intégrés LSI, permet une utilisation optimale du silicium, ce qui se traduit par des performances remarquables.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 50 A
Tension Drain Source maximum 60 V
Type de boîtier TO-220AB
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 22 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 2V
Dissipation de puissance maximum 131 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température d'utilisation maximum +175 °C
Série MegaFET
Hauteur 9.4mm
Longueur 10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs 125 nC @ 20 V
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Largeur 4.83mm
Matériau du transistor Si
48 pour livraison dès le lendemain (stock France)
162 Sous 1 jour(s) (stock Europe)
Prix pour la pièce
1,33
HT
1,60
TTC
Unité
Prix par unité
1 - 9
1,33 €
10 - 24
0,64 €
25 +
0,63 €