Transistor MOSFET, Canal-N, 4,2 A 20 V SOT-23, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Non conforme RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 12 à 25 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Transistor MOSFET de puissance HEXFET à simple canal N de 20 V dans un boîtier Micro 3

Boîtier SOT-23 à brochage standard
Compatible avec les techniques existantes de montage en surface sans halogène
Compatibilité multi-fournisseurs
Fabrication plus facile
Plus écologique
Plus grande fiabilité

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 4,2 A
Tension Drain Source maximum 20 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 45 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Dissipation de puissance maximum 1,25 W
Tension Grille Source maximum -12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Largeur 1.4mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Hauteur 1.02mm
Longueur 3.04mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Charge de Grille type @ Vgs 8 nC @ 5 V
Série HEXFET
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