MOSFET, Canal-N, 80 A 75 V A-220, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 80 A
Tension Drain Source maximum 75 V
Type de boîtier A-220
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 11 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 4V
Tension de seuil minimale de la grille 2V
Dissipation de puissance maximum 300 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température d'utilisation maximum +175 °C
Série STripFET II
Hauteur 9.15mm
Charge de Grille type @ Vgs 117 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Matériau du transistor Si
Largeur 4.6mm
Longueur 10.4mm
30 pour livraison dès le lendemain (stock France)
391 Sous 1 jour(s) (stock Europe)
Prix pour la pièce
1,61
HT
1,93
TTC
Unité
Prix par unité
1 +
1,61 €
Options de conditionnement :