MOSFET, Canal-N, 10 A 60 V TO-220AB, 3 broches

  • Code commande RS 541-0604
  • Référence fabricant IRLZ14PBF
  • Marque Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 10 A
Tension Drain Source maximum 60 V
Type de boîtier TO-220AB
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 200 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 1V
Dissipation de puissance maximum 43 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Matériau du transistor Si
Température d'utilisation maximum +175 °C
Longueur 10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs 8,4 nC @ 5 V
Largeur 4.7mm
Hauteur 9.01mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
68 pour livraison dès le lendemain (stock France)
345 Sous 1 jour(s) (stock Europe)
Prix pour la pièce
0,74
HT
0,89
TTC
Unité
Prix par unité
1 - 24
0,74 €
25 - 99
0,63 €
100 - 249
0,59 €
250 - 499
0,56 €
500 +
0,52 €
Options de conditionnement :