MOSFET, Canal-N, 2,5 A 60 V HVMDIP, 4 broches

  • Code commande RS 541-0632
  • Référence fabricant IRLD024PBF
  • Marque Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor

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Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 2,5 A
Tension Drain Source maximum 60 V
Type de boîtier HVMDIP
Type de montage Traversant
Nombre de broches 4
Résistance Drain Source maximum 100 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 1V
Dissipation de puissance maximum 1,3 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Matériau du transistor Si
Charge de Grille type @ Vgs 18 nC @ 5 V
Largeur 6.29mm
Longueur 5mm
Température d'utilisation maximum +175 °C
Hauteur 3.37mm
70 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour la pièce
0,88
HT
1,06
TTC
Unité
Prix par unité
1 - 9
0,88 €
10 - 24
0,72 €
25 - 49
0,69 €
50 - 99
0,65 €
100 +
0,58 €
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Options de conditionnement :