MOSFET, Canal-P, 130 mA 50 V SOT-23, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor

La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide.

Caractéristiques et avantages :

Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension
Conception de cellule haute densité
• Courant de saturation élevé
• commutation supérieure
Excellentes performances robustes et fiables
Technologie DMOS

Applications :

Commutation de charge
• Convertisseur c.c./c.c.
Protection de batterie
• Commande de gestion de l'alimentation
Commande de moteur c.c.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal P
Courant continu de Drain maximum 130 mA
Tension Drain Source maximum 50 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 10 Ω
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 0.8V
Dissipation de puissance maximum 360 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Hauteur 0.93mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Longueur 2.92mm
Largeur 1.3mm
Matériau du transistor Si
Charge de Grille type @ Vgs 0,9 nC @ 5 V
Température de fonctionnement minimum -55 °C
400 pour livraison dès le lendemain (stock France)
1350 Sous 1 jour(s) (stock Europe)
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
0,201
HT
0,241
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 90
0,201 €
2,01 €
100 - 190
0,19 €
1,90 €
200 - 490
0,16 €
1,60 €
500 - 990
0,151 €
1,51 €
1000 +
0,14 €
1,40 €
*Prix donné à titre indicatif
Options de conditionnement :