MOSFET, Canal-N, 1,7 A 20 V SOT-23, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 1,7 A
Tension Drain Source maximum 20 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 70 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 0.4V
Dissipation de puissance maximum 500 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Largeur 1.4mm
Matériau du transistor Si
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Longueur 2.92mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Hauteur 0.94mm
Charge de Grille type @ Vgs 3,5 nC @ 4,5 V
Série PowerTrench
150 pour livraison dès le lendemain (stock France)
330 Sous 1 jour(s) (stock Europe)
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
0,238
HT
0,286
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 40
0,238 €
2,38 €
50 - 90
0,123 €
1,23 €
100 - 240
0,092 €
0,92 €
250 - 490
0,09 €
0,90 €
500 +
0,088 €
0,88 €
*Prix donné à titre indicatif
Options de conditionnement :