MOSFET IXYS canal N, SOT-227 22 A 1 000 V, 4 broches
- Code commande RS:
- 686-7865
- Référence fabricant:
- IXTN22N100L
- Marque:
- IXYS
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| Unité | Prix par unité |
| 1 - 1 | 52,30 € |
| 2 - 4 | 46,08 € |
| 5 - 9 | 44,87 € |
| 10 - 19 | 43,73 € |
| 20 + | 42,63 € |
- Code commande RS:
- 686-7865
- Référence fabricant:
- IXTN22N100L
- Marque:
- IXYS
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
MOSFET de puissance canal N, série IXYS Linear
MOSFET de puissance canal N conçus spécifiquement pour un fonctionnement linéaire. Circuits avec FBSOA (Forward Bias Safe Operating Area) étendue, pour une solidité et une fiabilité accrues.
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 22 A |
| Tension Drain Source maximum | 1 000 V |
| Type de boîtier | SOT-227 |
| Type de montage | Montage à visser |
| Nombre de broches | 4 |
| Résistance Drain Source maximum | 600 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 5.5V |
| Dissipation de puissance maximum | 700 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
| Longueur | 38.2mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Largeur | 25.07mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Charge de Grille type @ Vgs | 270 nC @ 15 V |
| Hauteur | 9.6mm |
| Série | Linear |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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